Simone半导体存储器件及其制造方法
的有关信息介绍如下：
《半导体存储器件及其制造方法》是三星电子株式会社于2020年9月27日申请的发明专利，公布号为CN112992902A，2021年6月18日公开。发明人包括孙龙勋、金哉勋、朴光浩、郑承宰 。
该专利提出的半导体存储器件包含竖直堆叠的堆叠结构，每层设有半导体图案、沿第一方向延伸的栅电极及数据存储元件。堆叠结构一侧设置竖直延伸的位线用于连接半导体图案，并通过穿透堆叠结构的竖直绝缘体实现结构分隔。竖直绝缘体分为相邻的第一竖直绝缘体和第二竖直绝缘体，栅电极布设于两者之间的连接部分以提高器件集成度 。
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