强场效应
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强场效应是物理学术语,指电场强度超过临界值Ed(10³V/cm)时,μ参数非线性变化且载流子漂移速度趋于饱和的现象,此时欧姆定律失效。该效应由多光子电离过程产生,需通过缀饰态模型结合含时波包动力学方法分析,常见于双原子分子光电离动力学及半导体强电场输运特性研究 。其英文对应术语为high-field effect 。
早期研究聚焦H₂分子的键软化、超阈值电离等现象,后扩展至Na₂、RbI等分子,实验发现NO分子光电子能谱峰位和强度随光强及脉冲延迟时间变化,RbI分子自电离与势能面交叉相关 。PZT压电陶瓷在400V/mm场强下介电损耗为0.38%,满足大功率应用需求 。半导体领域研究显示强场效应影响载流子迁移率及雪崩倍增过程,应用于微波雪崩管设计 。强激光场中ZnO晶体二次谐波效率偏离传统理论,空间角分布对称性由单峰变为双峰结构 。
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